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| Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Hochstzulassige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prufspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80C Tc= 25C tp= 1ms, Tc= 80C VCES IC, nom IC ICRM 1200 100 140 200 V A A A Tc= 25C Ptot 480 W VGES +/- 20 V IF 100 A IFRM 200 A VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C It 1,95 kAs RMS, f= 50Hz, t= 1min VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 4mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t.b.d. 6,5 V V V VGE(th) VGE= -15V...+15V QG - 0,9 - C f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies 7,1 nF f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres 0,3 nF VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C ICES - - 5 mA VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C IGES - - 400 nA prepared by: Mark Munzer approved: Martin Hierholzer date of publication: 2001-08-16 revision: 2 1 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulinduktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 3,9, Tvj= 125C tP 10sec, VGE 15V, Tvj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE *di/dt Eon tf 65 90 10 ns ns mJ td,off 420 520 ns ns tr 30 45 ns ns td,on 260 285 ns ns min. typ. max. Eoff - 12 - mJ ISC - 400 - A LCE - 21 - nH RCC/EE - 1,8 - m Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C IF=IC,nom, -diF/dt= 2600A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 2600A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 2600A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Erec 5 9 mJ mJ Qr 10 20 C C IRM 120 140 A A VF 1,65 1,65 2,1 t.b.d. V V 2 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25C R25 R/R min. typ. 5 max. k Tc= 100C, R100= 493 -5 - 5 % Tc= 25C P25 - - 20 mW R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Warmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthJC 0,009 0,26 0,48 K/W K/W K/W RthCK Tvjmax - - 150 C Tvjop -40 - 125 C Tstg -40 - 125 C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight Schraube M5 screw M5 M 3 Al2O3 225 - 6 Nm G 300 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) 200 180 160 140 120 IC [A] 100 80 60 40 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 Tvj = 25C Tvj = 125C IC= f(VCE) VGE= 15V 2,5 3,0 3,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 200 180 160 140 120 IC [A] 100 80 60 40 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V IC= f(VCE) Tvj= 125C 3,5 4,0 4,5 5,0 4 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 200 180 160 140 120 IC [A] 100 80 60 40 20 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 Tvj = 25C Tvj = 125C IC= f(VGE) VCE= 20V 11 12 13 Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 200 180 160 140 120 IF [A] 100 80 60 40 20 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 Tvj = 25C Tvj = 125C IF= f(VF) 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 5 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 30 25 20 E [mJ] 15 10 5 0 0 20 40 60 Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=15V, RGon=RGoff=3,9, VCE=600V, Tj=125C Eon Eoff Erec 80 100 IC [A] 120 140 160 180 200 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 30 Eon Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V, IC=100A, VCE=600V, Tj=125C 25 20 E [mJ] 15 10 5 0 0 4 8 Eoff Erec 12 16 20 24 28 32 36 RG [] 6 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance 1 ZthJC = f (t) ZthJC [K/W] 0,1 Zth : IGBT Zth : Diode 0,01 0,001 0,01 t [s] 0,1 1 i ri [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [s] : Diode 1 109,19 6,499E-02 201,64 6,499E-02 2 130,88 2,601E-02 242,02 2,601E-02 3 15,01 2,364E-03 27,26 2,364E-03 4 4,93 1,187E-05 9,08 1,187E-05 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 250 200 150 IC,Chip IC,Chip VGE=15V, Tj=125C IC [A] 100 50 0 0 200 400 600 VCE [V] 800 1000 1200 1400 7 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS100R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8 (8) Datenblatt_FS100R12KE3_V2.xls 2001-08-16 |
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